UM 无掩模版紫外光刻机
博纳 ABNER-UM系列无掩模光刻机是一款基于数字微镜器件（DMD）的紫外直写光刻系统，面向微纳器件研发、二维材料器件制备、MEMS 工艺验证及高校科研教学等应用场景。系统通过计算机直接加载版图数据，将设计图形实时投射至光刻胶表面，实现无需实体掩模、快速迭代、高精度曝光的光刻加工方式，大幅降低工艺成本并缩短研发周期。该设备兼顾高分辨率成像与系统稳定性，采用模块化光路设计与高精度运动平台，支持多种紫外波段与样品尺寸，特别适用于小批量、多方案、频繁修改版图的科研与中试需求。
博纳 ABNER-UM系列无掩模光刻机是一款基于数字微镜器件（DMD）的紫外直写光刻系统，面向微纳器件研发、二维材料器件制备、MEMS 工艺验证及高校科研教学等应用场景。系统通过计算机直接加载版图数据，将设计图形实时投射至光刻胶表面，实现无需实体掩模、快速迭代、高精度曝光的光刻加工方式，大幅降低工艺成本并缩短研发周期。该设备兼顾高分辨率成像与系统稳定性，采用模块化光路设计与高精度运动平台，支持多种紫外波段与样品尺寸，特别适用于小批量、多方案、频繁修改版图的科研与中试需求。
一、产品核心优势
无掩模直写
无需制作光掩模，版图即改即用，显著降低研发成本与时间
高分辨率紫外成像
采用高数值孔径投影光学系统，实现亚微米级线宽加工能力
高速 DMD 动态曝光
基于数字微镜阵列的灰度/二值曝光控制，支持复杂图形与渐变结构
高精度运动与对准
精密电动载物台，支持多区域拼接曝光与重复定位
开放式工艺兼容性
兼容主流正胶、负胶，适配多种基底材料与器件结构
科研友好型软件
支持 GDSII / DXF / BMP 等版图格式，操作直观，适合实验室环境
二、典型应用领域
二维材料器件（Graphene、MoS₂、WSe₂ 等）
微纳电子与光电子器件
MEMS / 微结构原型验证
微流控芯片
新材料与新工艺教学实验
掩模前期工艺评估与快速验证
三、技术参数（ABNER-UV 标准配置）
1.光刻系统
参数项 技术指标
光刻方式 | 紫外无掩模直写（DMD 投影） |
光源类型 | 高稳定性 UV LED / UV 激光（可选） |
工作波长 | 365 nm（i-line） / 385 nm / 405 nm（可选） |
曝光方式 | 二值 / 灰度曝光 |
曝光均匀性 | ≥ 90% |
光强调节 | 软件可调，支持多级曝光能量控制 |
2. DMD 与成像系统
DMD 分辨率 | 1920 × 1080 |
微镜尺寸 | 7.56 μm |
投影缩放倍率 | 1× / 2× / 5× / 10×（可选） |
最小特征线宽 | ≤ 1.0 μm（与光刻胶及工艺相关） |
成像畸变 | ≤ 1% |
3. 运动与样品平台
载物台类型 | 精密电动 XY 平台 |
行程范围 | XY：100 mm × 100 mm（可定制） |
重复定位精度 | ≤ ±1 μm |
Z 轴调焦 | 电动 / 手动微调 |
样品尺寸 | 芯片 / 2–4 英寸晶圆（可扩展至 6 英寸） |
固定方式 | 真空吸附 / 机械夹持 |
4. 对准与拼接
对准方式 | 光学显微对准 |
对准自由度 | X / Y / θ |
拼接曝光 | 支持 |
拼接误差 | ≤ ±1 μm（典型值） |
5. 软件与控制系统
版图格式 | GDSII / DXF / BMP / PNG |
曝光控制 | 区域曝光、灰度控制、阵列曝光 |
操作系统 | Windows |
控制方式 | 图形化界面（GUI） |
数据接口 | USB / Ethernet |
6. 系统与环境要求
电源 | AC 220V ±10%，50 Hz |
工作环境 | 20–25 ℃，湿度 ≤ 60% |
整机尺寸 | 约 1200 × 800 × 1600 mm（参考） |
安装环境 | 实验室 / 洁净室 |